maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / ES1D-13
Référence fabricant | ES1D-13 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-ES1D-13 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
ES1D-13 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 920mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 25ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AC, SMA |
Package d'appareils du fournisseur | SMA |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1D-13 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ES1D-13-FT |
BAS40Q-7-F
Diodes Incorporated
MMBD4448-7-F
Diodes Incorporated
MMBD4448HW-7-F
Diodes Incorporated
ZLLS500TA
Diodes Incorporated
MMBD4148-7-F
Diodes Incorporated
BAS19-7-F
Diodes Incorporated
BAS70Q-7-F
Diodes Incorporated
BAS70-7-F
Diodes Incorporated
BAT54CQ-7-F
Diodes Incorporated
MMBD4448W-7-F
Diodes Incorporated
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel