Référence fabricant | S1B-13 |
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Numéro de pièce future | FT-S1B-13 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
S1B-13 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 1A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 3µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AC, SMA |
Package d'appareils du fournisseur | SMA |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S1B-13 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S1B-13-FT |
MMBD4448-7-F
Diodes Incorporated
MMBD4448HW-7-F
Diodes Incorporated
ZLLS500TA
Diodes Incorporated
MMBD4148-7-F
Diodes Incorporated
BAS19-7-F
Diodes Incorporated
BAS70Q-7-F
Diodes Incorporated
BAS70-7-F
Diodes Incorporated
BAT54CQ-7-F
Diodes Incorporated
MMBD4448W-7-F
Diodes Incorporated
BAL99-7
Diodes Incorporated
XC3042A-7PQ100C
Xilinx Inc.
M2GL050-FCSG325
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1VFG256T2
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40C2N
Intel
10AX027H3F34E2SG
Intel
XCS10-4PC84C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-7FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA7G4F31C4N
Intel
EP2AGX95EF35C6ES
Intel