Référence fabricant | 6A10-T |
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Numéro de pièce future | FT-6A10-T |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
6A10-T Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1000V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 6A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 900mV @ 6A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 1000V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | R6, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | R-6 |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
6A10-T Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 6A10-T-FT |
BAS19-7-F
Diodes Incorporated
BAS70Q-7-F
Diodes Incorporated
BAS70-7-F
Diodes Incorporated
BAT54CQ-7-F
Diodes Incorporated
MMBD4448W-7-F
Diodes Incorporated
BAL99-7
Diodes Incorporated
BAL99TA
Diodes Incorporated
BAR99TA
Diodes Incorporated
BAS116
Diodes Incorporated
BAS16-7
Diodes Incorporated
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel