maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / SBRT3M60P1-7
Référence fabricant | SBRT3M60P1-7 |
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Numéro de pièce future | FT-SBRT3M60P1-7 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
SBRT3M60P1-7 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Super Barrier |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 60V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 590mV @ 3A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 60V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | POWERDI®123 |
Package d'appareils du fournisseur | PowerDI™ 123 |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SBRT3M60P1-7 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SBRT3M60P1-7-FT |
B250A-13
Diodes Incorporated
B320A-13
Diodes Incorporated
B340LA-13
Diodes Incorporated
ES1A-13
Diodes Incorporated
ES1D-13
Diodes Incorporated
S1B-13
Diodes Incorporated
1N4448WSF-7
Diodes Incorporated
1N4148WSF-7
Diodes Incorporated
10A02-T
Diodes Incorporated
6A10-T
Diodes Incorporated
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel