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Référence fabricant | S1DFSHMXG |
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Numéro de pièce future | FT-S1DFSHMXG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
S1DFSHMXG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 1A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | 9pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOD-128 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-128 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S1DFSHMXG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S1DFSHMXG-FT |
SRAS20150HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation
SRAS2020 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation
SRAS2020HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation
SRAS2030 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation
SRAS2030HMNG
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SRAS2040 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation
SRAS2040HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation
SRAS8100 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation
SRAS8100HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRS10100 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
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EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel