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Référence fabricant | SRAS8100 MNG |
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Numéro de pièce future | FT-SRAS8100 MNG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SRAS8100 MNG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 950mV @ 8A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB (D²PAK) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SRAS8100 MNG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SRAS8100 MNG-FT |
TPMR10G S1G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSP15H120S S1G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSPB10U45S S1G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSPB15U45S S1G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSPB15U50S S1G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSPB5H120S S1G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSPB5H150S S1G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSPB15U100S S2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSPB15U50S S2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSPB5H100S S2G
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200ZE-3TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-4FG320C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FGG456C
Xilinx Inc.
A1010B-2PL68I
Microsemi Corporation
5SGXMA3K2F40I3N
Intel
5SEEBF45I3N
Intel
5SGXEA5K3F35I3N
Intel
XC4013XL-1BG256I
Xilinx Inc.
XC4VFX60-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation