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Référence fabricant | SRAS20150HMNG |
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Numéro de pièce future | FT-SRAS20150HMNG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
SRAS20150HMNG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 150V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 20A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.02V @ 20A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 150V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB (D²PAK) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SRAS20150HMNG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SRAS20150HMNG-FT |
TSPB20U80S S1G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSPB5H100S S1G
Taiwan Semiconductor Corporation
TPAR3G S1G
Taiwan Semiconductor Corporation
TPAU3D S1G
Taiwan Semiconductor Corporation
TPAR3D S1G
Taiwan Semiconductor Corporation
TPAR3J S1G
Taiwan Semiconductor Corporation
TPAU3G S1G
Taiwan Semiconductor Corporation
TPMR10G S1G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSP15H120S S1G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSPB10U45S S1G
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200-4FG456C
Xilinx Inc.
APA450-PQG208
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
Intel
5SGXEA9K2H40C2LN
Intel
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
A40MX04-1PLG44
Microsemi Corporation
5CEFA2U19C7N
Intel
EP1S60F1020C6N
Intel