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Référence fabricant | SRAS2030HMNG |
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Numéro de pièce future | FT-SRAS2030HMNG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
SRAS2030HMNG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 30V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 20A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 570mV @ 20A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500µA @ 30V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB (D²PAK) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SRAS2030HMNG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SRAS2030HMNG-FT |
TPAR3D S1G
Taiwan Semiconductor Corporation
TPAR3J S1G
Taiwan Semiconductor Corporation
TPAU3G S1G
Taiwan Semiconductor Corporation
TPMR10G S1G
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TSP15H120S S1G
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TSPB10U45S S1G
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TSPB15U45S S1G
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TSPB15U50S S1G
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TSPB5H120S S1G
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TSPB5H150S S1G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P400-1FG484I
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M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
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5SGXEA7N2F40C2N
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EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
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EP3C25F324C6
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5SGXEA3H1F35C2N
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