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Référence fabricant | RM25C512C-LSNI-T |
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Numéro de pièce future | FT-RM25C512C-LSNI-T |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Mavriq™ |
RM25C512C-LSNI-T Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | CBRAM® |
La technologie | CBRAM |
Taille mémoire | 512kb (128B Page Size) |
Fréquence d'horloge | 20MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 100µs, 5ms |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | SPI |
Tension - Alimentation | 1.65V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOIC |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RM25C512C-LSNI-T Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RM25C512C-LSNI-T-FT |
RM25C128DS-LSNI-T
Adesto Technologies
RM25C256DS-LSNI-B
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Xilinx Inc.
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A3PN060-VQ100
Microsemi Corporation
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Intel
LFE2-20SE-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
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Intel