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Référence fabricant | RM24C128DS-LSNI-T |
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Numéro de pièce future | FT-RM24C128DS-LSNI-T |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Mavriq™ |
RM24C128DS-LSNI-T Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | CBRAM® |
La technologie | CBRAM |
Taille mémoire | 128kb (64B Page Size) |
Fréquence d'horloge | 1MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 100µs, 5ms |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | I²C |
Tension - Alimentation | 1.65V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOIC |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RM24C128DS-LSNI-T Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RM24C128DS-LSNI-T-FT |
AS6C2008-55STIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C2008-55STINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C2008A-55STIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C2008A-55STINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C4008A-55STIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C4008A-55STINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C4008-55STINR
Alliance Memory, Inc.
AS6C1008-55SIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C4008-55SIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C1008-55SINL
Alliance Memory, Inc.
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE10F17A7N
Intel
EPF10K30EFC256-3
Intel
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-1
Intel