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Référence fabricant | RM24C256DS-LSNI-T |
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Numéro de pièce future | FT-RM24C256DS-LSNI-T |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Mavriq™ |
RM24C256DS-LSNI-T Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | CBRAM® |
La technologie | CBRAM |
Taille mémoire | 256kb (64B Page Size) |
Fréquence d'horloge | 1MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 100µs, 2.5ms |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | I²C |
Tension - Alimentation | 1.65V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOIC |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RM24C256DS-LSNI-T Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RM24C256DS-LSNI-T-FT |
AS6C2008-55STINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C2008A-55STIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C2008A-55STINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C4008A-55STIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C4008A-55STINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C4008-55STINR
Alliance Memory, Inc.
AS6C1008-55SIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C4008-55SIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C1008-55SINL
Alliance Memory, Inc.
AS6C1008-55SINLTR
Alliance Memory, Inc.
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel