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Référence fabricant | RM25C256DS-LSNI-B |
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Numéro de pièce future | FT-RM25C256DS-LSNI-B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Mavriq™ |
RM25C256DS-LSNI-B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | CBRAM® |
La technologie | CBRAM |
Taille mémoire | 256kb (64B Page Size) |
Fréquence d'horloge | 20MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 100µs, 2.5ms |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | SPI |
Tension - Alimentation | 1.65V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOIC |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RM25C256DS-LSNI-B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RM25C256DS-LSNI-B-FT |
MT48LC32M16A2TG-75:IT:CTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C4008-55STIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C1008-55STIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C1008-55STINL
Alliance Memory, Inc.
AS6C1008-55STINLTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C1008-55STINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C2008-55STIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C2008-55STINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C2008A-55STIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C2008A-55STINTR
Alliance Memory, Inc.
XC2VP70-6FF1517C
Xilinx Inc.
XC7S75-2FGGA676I
Xilinx Inc.
A3P600-2PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXMA4K2F40C3N
Intel
10CX105YF672I6G
Intel
XC7K70T-2FBG484I
Xilinx Inc.
XC7S15-2CPGA196C
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200ZE-2MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K2F35I1SG
Intel
EP20K60EFC324-3N
Intel