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Rohm Semiconductor R8008ANJFRGTL

Numéro de pièce MFG
R8008ANJFRGTL
quantité disponible
85280 Pièces
Prix de référence
USD 1.762208
Notre prix
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Date d'expédition
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fabricant
Rohm Semiconductor
Brève description
Automotive, AEC-Q101 R8008ANJ FRG IS A POWER MOSFET W
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
R8008ANJFRGTL.pdf
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R8008ANJFRGTL Caractéristiques

Référence fabricant R8008ANJFRGTL
Numéro de pièce future FT-R8008ANJFRGTL
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries Automotive, AEC-Q101
R8008ANJFRGTL Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 800V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 8A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.03 Ohm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 195W (Tc)
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur LPTS
Paquet / caisse SC-83
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
R8008ANJFRGTL Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange R8008ANJFRGTL-FT

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