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2SK3065T100 Image

Rohm Semiconductor 2SK3065T100

Numéro de pièce MFG
2SK3065T100
quantité disponible
38960 Pièces
Prix de référence
USD 0.2112
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Date d'expédition
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fabricant
Rohm Semiconductor
Brève description
- MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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2SK3065T100 Caractéristiques

Référence fabricant 2SK3065T100
Numéro de pièce future FT-2SK3065T100
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
2SK3065T100 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Not For New Designs
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 2A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 320 mOhm @ 1A, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 160pF @ 10V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 500mW (Ta)
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur MPT3
Paquet / caisse TO-243AA
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
2SK3065T100 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange 2SK3065T100-FT

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