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RDR005N25TL Image

Rohm Semiconductor RDR005N25TL

Numéro de pièce MFG
RDR005N25TL
quantité disponible
67500 Pièces
Prix de référence
USD 0.17632
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Date d'expédition
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fabricant
Rohm Semiconductor
Brève description
- MOSFET N-CH 250V 0.5A SC-96-3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
RDR005N25TL.pdf
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RDR005N25TL Caractéristiques

Référence fabricant RDR005N25TL
Numéro de pièce future FT-RDR005N25TL
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
RDR005N25TL Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Not For New Designs
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 250V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 500mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.8 Ohm @ 250mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 3.5nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 70pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 540mW (Ta)
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur TSMT3
Paquet / caisse SC-96
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RDR005N25TL Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange RDR005N25TL-FT

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