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Rohm Semiconductor R6076MNZ1C9

Name: R6076MNZ1C9
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: R6076MNZ1C9
Price: 12.568 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (90 reviews)

Numéro de pièce MFG: R6076MNZ1C9

quantité disponible: 70330 Pièces

Prix de référence: USD 12.568

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Rohm Semiconductor

Brève description: - MOSFET N-CHANNEL 600V 76A TO247

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: R6076MNZ1C9.pdf

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R6076MNZ1C9 Caractéristiques

Référence fabricant	R6076MNZ1C9
Numéro de pièce future	FT-R6076MNZ1C9
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
R6076MNZ1C9 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	76A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	55 mOhm @ 38A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	115nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	7000pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	740W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-247
Paquet / caisse	TO-247-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
R6076MNZ1C9 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	R6076MNZ1C9-FT

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