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Rohm Semiconductor R8002ANJFRGTL

Name: R8002ANJFRGTL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: R8002ANJFRGTL
Price: 0.877424 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (781 reviews)

Numéro de pièce MFG: R8002ANJFRGTL

quantité disponible: 99530 Pièces

Prix de référence: USD 0.877424

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Rohm Semiconductor

Brève description: Automotive, AEC-Q101 R8002ANJ FRG IS A POWER MOSFET W

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: R8002ANJFRGTL.pdf

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R8002ANJFRGTL Caractéristiques

Référence fabricant	R8002ANJFRGTL
Numéro de pièce future	FT-R8002ANJFRGTL
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	Automotive, AEC-Q101
R8002ANJFRGTL Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	800V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	2A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.3 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	13nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	250pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	62W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	LPTS
Paquet / caisse	SC-83
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
R8002ANJFRGTL Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	R8002ANJFRGTL-FT

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