maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / QRC1210T30
Référence fabricant | QRC1210T30 |
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Numéro de pièce future | FT-QRC1210T30 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
QRC1210T30 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 53A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 3.5V @ 100A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 250ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1mA @ 1200V |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
QRC1210T30 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | QRC1210T30-FT |
MDMA380P1600KC
IXYS
MDMA50P1200TG
IXYS
MDMA50P1600TG
IXYS
MDMA65P1200TG
IXYS
MDMA65P1600TG
IXYS
MDMA85P1200TG
IXYS
MDMA85P1600TG
IXYS
MPE-220AVL
Sanken
MPE-220AVR
Sanken
MSAD100-08
Microsemi Corporation
LCMXO640C-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S500E-5FGG320C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FG484I
Microsemi Corporation
AFS600-1FG484K
Microsemi Corporation
A3PN060-Z1VQ100
Microsemi Corporation
5SGXMA4K3F40I3N
Intel
10M08SAU169I7G
Intel
5SGXEB5R2F43I2LN
Intel
EP2S60F1020C3N
Intel