maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MDMA50P1200TG
Référence fabricant | MDMA50P1200TG |
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Numéro de pièce future | FT-MDMA50P1200TG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MDMA50P1200TG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Series Connection |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 50A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.18V @ 50A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 1200V |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | TO-240AA |
Package d'appareils du fournisseur | TO-240AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MDMA50P1200TG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MDMA50P1200TG-FT |
MBRB25H50CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H50CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H50CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H60CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H60CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB3035CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB3035CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H35CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H35CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H35CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P1000-2FG256
Microsemi Corporation
APA750-PQ208I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C3N
Intel
EPF10K30EFC484-2
Intel
5SEE9H40I4N
Intel
XC5VFX70T-1FFG1136CES
Xilinx Inc.
LFE2-20E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45CU17C6N
Intel
5AGXBA7D4F35C4N
Intel
EP20K200BC356-2
Intel