maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MBRB30H35CTHE3_A/I
Référence fabricant | MBRB30H35CTHE3_A/I |
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Numéro de pièce future | FT-MBRB30H35CTHE3_A/I |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
MBRB30H35CTHE3_A/I Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 35V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 15A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 620mV @ 15A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 80µA @ 35V |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRB30H35CTHE3_A/I Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBRB30H35CTHE3_A/I-FT |
MA6X1250GL
Panasonic Electronic Components
MAD1105E3/TU
Microsemi Corporation
MAD1106E3/TU
Microsemi Corporation
MAD1107E3/TU
Microsemi Corporation
MB20H90CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MB20H90CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MB30H90CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MB30H90CTHE3_A/P
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MBR10100CD-E1
Diodes Incorporated
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Diodes Incorporated
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10AX115H3F34I2LG
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EP20K200BC356-3
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