maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MDMA50P1600TG
Référence fabricant | MDMA50P1600TG |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MDMA50P1600TG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MDMA50P1600TG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Series Connection |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 50A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.18V @ 50A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 1600V |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | TO-240AA |
Package d'appareils du fournisseur | TO-240AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MDMA50P1600TG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MDMA50P1600TG-FT |
MBRB25H50CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H50CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H60CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H60CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB3035CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB3035CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H35CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H35CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H35CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H45CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2V80-5FGG256C
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-3FFG484C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
AFS250-1FG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-1PQG208
Microsemi Corporation
EP3CLS70U484C8N
Intel
5SGSMD4K3F40I3L
Intel
EP2AGX65DF25C4G
Intel
EP3SE260F1152I4N
Intel
EP2AGX95EF35C6N
Intel