maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MDMA85P1200TG
Référence fabricant | MDMA85P1200TG |
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Numéro de pièce future | FT-MDMA85P1200TG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MDMA85P1200TG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Series Connection |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 85A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.17V @ 85A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 200µA @ 1200V |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | TO-240AA |
Package d'appareils du fournisseur | TO-240AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MDMA85P1200TG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MDMA85P1200TG-FT |
MBRB25H60CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB3035CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB3035CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H35CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H35CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H35CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H45CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H50CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H50CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H50CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
EP2C5T144C7
Intel
LCMXO640E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1400A-5FGG484C
Xilinx Inc.
ICE40UL1K-SWG16ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K05LV-3DQC
Microchip Technology
EP3SL70F484C3N
Intel
EP20K200CF484C7N
Intel
5SGXMABN3F45C2N
Intel
AGL125V2-CS196I
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG100M
Microsemi Corporation