maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MBRB30H50CTHE3_A/P
Référence fabricant | MBRB30H50CTHE3_A/P |
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Numéro de pièce future | FT-MBRB30H50CTHE3_A/P |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
MBRB30H50CTHE3_A/P Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 50V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 15A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 680mV @ 15A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 60µA @ 50V |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRB30H50CTHE3_A/P Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBRB30H50CTHE3_A/P-FT |
MB20H90CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MB30H90CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MB30H90CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR10100CD-E1
Diodes Incorporated
MBR10100CS2-E1
Diodes Incorporated
MBR10100CS2TR-E1
Diodes Incorporated
MBR10100CTC0
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR10150CTC0
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR10200CD-E1
Diodes Incorporated
MBR10200CTC0
Taiwan Semiconductor Corporation
EX128-TQ64I
Microsemi Corporation
XC2S50-5FGG256C
Xilinx Inc.
XA3S1600E-4FGG484I
Xilinx Inc.
AX1000-FGG484M
Microsemi Corporation
XC7A25T-L1CPG238I
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6U19C6N
Intel
5CGXFC7C7U19C8N
Intel
10AX057N2F40E2SG
Intel
EP20K1000CB652C7N
Intel
EPF10K50SQC208-3
Intel