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Référence fabricant | MBR10100CS2TR-E1 |
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Numéro de pièce future | FT-MBR10100CS2TR-E1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MBR10100CS2TR-E1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 850mV @ 5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 100V |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263-2 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR10100CS2TR-E1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBR10100CS2TR-E1-FT |
IRKD166/14
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKD166/16
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKD196/04
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKD196/08
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKD196/12
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKD196/16
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKD236/04
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKD236/08
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKD236/12
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKD236/16
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC5204-6TQ144C
Xilinx Inc.
A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-2FGG256I
Microsemi Corporation
A3P250-1VQ100
Microsemi Corporation
A42MX09-1VQG100I
Microsemi Corporation
A1020B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC6VSX315T-1FFG1156C
Xilinx Inc.
ICE40LP1K-CM81TR
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100E-6MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA7G4F31C4N
Intel