maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / PSMN4R0-30YLDX
Référence fabricant | PSMN4R0-30YLDX |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-PSMN4R0-30YLDX |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchMOS™ |
PSMN4R0-30YLDX Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 95A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 19.4nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1272pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 64W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | LFPAK56, Power-SO8 |
Paquet / caisse | SC-100, SOT-669 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN4R0-30YLDX Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PSMN4R0-30YLDX-FT |
PMV45EN,215
NXP USA Inc.
PMV56XN,215
NXP USA Inc.
PMV60EN,215
NXP USA Inc.
PMV65UN,215
NXP USA Inc.
PMV90EN,215
NXP USA Inc.
SI2302DS,215
NXP USA Inc.
BUK9880-55A/CUX
Nexperia USA Inc.
BUK7880-55A/CUX
Nexperia USA Inc.
BUK9832-55A/CUX
Nexperia USA Inc.
BUK98180-100A/CUX
Nexperia USA Inc.
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
5SGSMD5K2F40C2L
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4U19A7N
Intel
EPF10K20RC240-3N
Intel
EP20K1000EFC33-3
Intel