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NXP USA Inc. SI2302DS,215

Numéro de pièce MFG
SI2302DS,215
quantité disponible
46470 Pièces
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Date d'expédition
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fabricant
NXP USA Inc.
Brève description
TrenchMOS™ MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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SI2302DS,215 Caractéristiques

Référence fabricant SI2302DS,215
Numéro de pièce future FT-SI2302DS,215
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries TrenchMOS™
SI2302DS,215 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 2.5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 650mV @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 230pF @ 10V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 830mW (Tc)
Température de fonctionnement -65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur TO-236AB (SOT23)
Paquet / caisse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SI2302DS,215 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange SI2302DS,215-FT

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