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NXP USA Inc. PHD110NQ03LT,118

Numéro de pièce MFG
PHD110NQ03LT,118
quantité disponible
94830 Pièces
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fabricant
NXP USA Inc.
Brève description
TrenchMOS™ MOSFET N-CH 25V 75A DPAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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PHD110NQ03LT,118 Caractéristiques

Référence fabricant PHD110NQ03LT,118
Numéro de pièce future FT-PHD110NQ03LT,118
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries TrenchMOS™
PHD110NQ03LT,118 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 25V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 75A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.6 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 26.7nC @ 5V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2200pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 115W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur DPAK
Paquet / caisse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PHD110NQ03LT,118 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange PHD110NQ03LT,118-FT

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