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NXP USA Inc. BUK9E1R6-30E,127

Name: BUK9E1R6-30E,127
Brand: NXP USA Inc.
SKU: BUK9E1R6-30E,127
Availability: InStock
Rating: 4.8 (189 reviews)

Numéro de pièce MFG: BUK9E1R6-30E,127

quantité disponible: 35310 Pièces

Prix de référence: USD 0

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: NXP USA Inc.

Brève description: TrenchMOS™ MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: BUK9E1R6-30E,127.pdf

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BUK9E1R6-30E,127 Caractéristiques

Référence fabricant	BUK9E1R6-30E,127
Numéro de pièce future	FT-BUK9E1R6-30E,127
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	TrenchMOS™
BUK9E1R6-30E,127 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	120A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.1V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	113nC @ 5V
Vgs (Max)	±10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	16150pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	349W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	I2PAK
Paquet / caisse	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BUK9E1R6-30E,127 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	BUK9E1R6-30E,127-FT

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