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NXP USA Inc. PSMN016-100XS,127

Numéro de pièce MFG
PSMN016-100XS,127
quantité disponible
15060 Pièces
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fabricant
NXP USA Inc.
Brève description
- MOSFET N-CH 100V 32.1A TO-220F
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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PSMN016-100XS,127 Caractéristiques

Référence fabricant PSMN016-100XS,127
Numéro de pièce future FT-PSMN016-100XS,127
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
PSMN016-100XS,127 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 32.1A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 46.2nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2404pF @ 50V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 46.1W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-220F
Paquet / caisse TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PSMN016-100XS,127 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange PSMN016-100XS,127-FT

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