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NXP USA Inc. PMFPB6532UP,115

Numéro de pièce MFG
PMFPB6532UP,115
quantité disponible
37580 Pièces
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fabricant
NXP USA Inc.
Brève description
- MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT1118
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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PMFPB6532UP,115 Caractéristiques

Référence fabricant PMFPB6532UP,115
Numéro de pièce future FT-PMFPB6532UP,115
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
PMFPB6532UP,115 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 3.5A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 380pF @ 10V
Caractéristique FET Schottky Diode (Isolated)
Dissipation de puissance (max) 520mW (Ta), 8.3W (Tc)
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur DFN2020-6
Paquet / caisse 6-UDFN Exposed Pad
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PMFPB6532UP,115 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange PMFPB6532UP,115-FT

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