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NXP USA Inc. PMFPB6532UP,115

Name: PMFPB6532UP,115
Brand: NXP USA Inc.
SKU: PMFPB6532UP,115
Availability: InStock
Rating: 4.5 (100 reviews)

Numéro de pièce MFG: PMFPB6532UP,115

quantité disponible: 37580 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: NXP USA Inc.

Brève description: - MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT1118

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: PMFPB6532UP,115.pdf

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PMFPB6532UP,115 Caractéristiques

Référence fabricant	PMFPB6532UP,115
Numéro de pièce future	FT-PMFPB6532UP,115
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
PMFPB6532UP,115 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	3.5A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	70 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	6nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	380pF @ 10V
Caractéristique FET	Schottky Diode (Isolated)
Dissipation de puissance (max)	520mW (Ta), 8.3W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	DFN2020-6
Paquet / caisse	6-UDFN Exposed Pad
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PMFPB6532UP,115 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	PMFPB6532UP,115-FT

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