maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / PSMN7R0-100XS,127
Référence fabricant | PSMN7R0-100XS,127 |
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Numéro de pièce future | FT-PSMN7R0-100XS,127 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PSMN7R0-100XS,127 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 55A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.8 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 121nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 6686pF @ 50V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 57.7W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220F |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN7R0-100XS,127 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PSMN7R0-100XS,127-FT |
NVMFS6B03NT1G
ON Semiconductor
NVMFS6B03NT3G
ON Semiconductor
NVMFS6B03NWFT1G
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NVMFS6B05NLT1G
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NVMFS6B05NLT3G
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NVMFS6B05NLWFT1G
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NVMFS6B05NLWFT3G
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NVMFS6B05NT1G
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A1010B-2VQ80I
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EPF10K30ATC144-1
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XC3S500E-4PQ208I
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AGL1000V5-FGG256I
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LCMXO3L-4300C-5BG324I
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