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Nexperia USA Inc. PHD101NQ03LT,118

Numéro de pièce MFG
PHD101NQ03LT,118
quantité disponible
41280 Pièces
Prix de référence
USD 0.29016
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Date d'expédition
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fabricant
Nexperia USA Inc.
Brève description
TrenchMOS™ MOSFET N-CH 30V 75A DPAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
PHD101NQ03LT,118.pdf
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PHD101NQ03LT,118 Caractéristiques

Référence fabricant PHD101NQ03LT,118
Numéro de pièce future FT-PHD101NQ03LT,118
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries TrenchMOS™
PHD101NQ03LT,118 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 75A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 5V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2180pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 166W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur DPAK
Paquet / caisse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PHD101NQ03LT,118 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange PHD101NQ03LT,118-FT

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