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NXP USA Inc. PMV56XN,215

Name: PMV56XN,215
Brand: NXP USA Inc.
SKU: PMV56XN,215
Availability: InStock
Rating: 4.9 (342 reviews)

Numéro de pièce MFG: PMV56XN,215

quantité disponible: 51400 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: NXP USA Inc.

Brève description: TrenchMOS™ MOSFET N-CH 20V 3.76A SOT23

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: PMV56XN,215.pdf

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PMV56XN,215 Caractéristiques

Référence fabricant	PMV56XN,215
Numéro de pièce future	FT-PMV56XN,215
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	TrenchMOS™
PMV56XN,215 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	3.76A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	85 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	650mV @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	5.4nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	230pF @ 10V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	1.92W (Tc)
Température de fonctionnement	-65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	TO-236AB (SOT23)
Paquet / caisse	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PMV56XN,215 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	PMV56XN,215-FT

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