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PMV45EN,215 Image

NXP USA Inc. PMV45EN,215

Numéro de pièce MFG
PMV45EN,215
quantité disponible
51600 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
NXP USA Inc.
Brève description
TrenchMOS™ MOSFET N-CH 30V 5.4A SOT-23
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
PMV45EN,215.pdf
PMV45EN,215 Image

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PMV45EN,215 Caractéristiques

Référence fabricant PMV45EN,215
Numéro de pièce future FT-PMV45EN,215
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries TrenchMOS™
PMV45EN,215 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 5.4A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 9.4nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 350pF @ 30V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 280mW (Tj)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur TO-236AB (SOT23)
Paquet / caisse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PMV45EN,215 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange PMV45EN,215-FT

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