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PSMN0R9-25YLDX Image

Nexperia USA Inc. PSMN0R9-25YLDX

Numéro de pièce MFG
PSMN0R9-25YLDX
quantité disponible
47130 Pièces
Prix de référence
USD 0.632016
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Date d'expédition
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fabricant
Nexperia USA Inc.
Brève description
- PSMN0R9-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
PSMN0R9-25YLDX.pdf
PSMN0R9-25YLDX Image

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PSMN0R9-25YLDX Caractéristiques

Référence fabricant PSMN0R9-25YLDX
Numéro de pièce future FT-PSMN0R9-25YLDX
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
PSMN0R9-25YLDX Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 25V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 300A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.85 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 89.8nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6721pF @ 12V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 238W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur LFPAK56, Power-SO8
Paquet / caisse SC-100, SOT-669
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PSMN0R9-25YLDX Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange PSMN0R9-25YLDX-FT

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