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Référence fabricant | PMZB370UNE,315 |
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Numéro de pièce future | FT-PMZB370UNE,315 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PMZB370UNE,315 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 900mA (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 490 mOhm @ 500mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.05V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 1.16nC @ 15V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 78pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 360mW (Ta), 2.7W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | DFN1006B-3 |
Paquet / caisse | 3-XFDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMZB370UNE,315 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PMZB370UNE,315-FT |
SI9410DY,518
NXP USA Inc.
PHU101NQ03LT,127
NXP USA Inc.
PHU108NQ03LT,127
NXP USA Inc.
PHU11NQ10T,127
NXP USA Inc.
PHU66NQ03LT,127
NXP USA Inc.
PHU77NQ03T,127
NXP USA Inc.
PHU78NQ03LT,127
NXP USA Inc.
PHU97NQ03LT,127
NXP USA Inc.
2N7002K,215
NXP USA Inc.
2N7002T,215
NXP USA Inc.
XC7A100T-2FTG256I
Xilinx Inc.
APA450-FGG484A
Microsemi Corporation
10AX032E4F27I3SG
Intel
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC7K325T-L2FBG900I
Xilinx Inc.
LFXP3C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-6MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N4F40I3LG
Intel
EP1AGX35DF780C6
Intel
EP1S40F1020C5N
Intel