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Référence fabricant | PMZB600UNELYL |
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Numéro de pièce future | FT-PMZB600UNELYL |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchMOS™ |
PMZB600UNELYL Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 600mA (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 620 mOhm @ 600mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 0.7nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 21.3pF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 360mW (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | DFN1006B-3 |
Paquet / caisse | 3-XFDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMZB600UNELYL Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PMZB600UNELYL-FT |
PHU66NQ03LT,127
NXP USA Inc.
PHU77NQ03T,127
NXP USA Inc.
PHU78NQ03LT,127
NXP USA Inc.
PHU97NQ03LT,127
NXP USA Inc.
2N7002K,215
NXP USA Inc.
2N7002T,215
NXP USA Inc.
BSH112,235
NXP USA Inc.
BSH205,215
NXP USA Inc.
PMV117EN,215
NXP USA Inc.
PMV16UN,215
NXP USA Inc.
EP20K100ETC144-1N
Intel
LFXP3C-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S100-5PQ208I
Xilinx Inc.
A3PE600-PQG208
Microsemi Corporation
10AX027E4F29I3SG
Intel
5SEE9H40C2LN
Intel
A40MX04-PL84I
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP15C-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation