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NXP USA Inc. BSH112,235

Name: BSH112,235
Brand: NXP USA Inc.
SKU: BSH112,235
Availability: InStock
Rating: 4.5 (583 reviews)

Numéro de pièce MFG: BSH112,235

quantité disponible: 81760 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: NXP USA Inc.

Brève description: TrenchMOS™ MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: BSH112,235.pdf

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BSH112,235 Caractéristiques

Référence fabricant	BSH112,235
Numéro de pièce future	FT-BSH112,235
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	TrenchMOS™
BSH112,235 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	300mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (Max)	±15V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	40pF @ 10V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	830mW (Tc)
Température de fonctionnement	-65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	TO-236AB (SOT23)
Paquet / caisse	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSH112,235 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	BSH112,235-FT

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