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Référence fabricant | PMZB420UN,315 |
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Numéro de pièce future | FT-PMZB420UN,315 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PMZB420UN,315 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 900mA (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 490 mOhm @ 200mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 0.98nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 65pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 360mW (Ta), 2.7W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | DFN1006B-3 |
Paquet / caisse | 3-XFDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMZB420UN,315 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PMZB420UN,315-FT |
PHU11NQ10T,127
NXP USA Inc.
PHU66NQ03LT,127
NXP USA Inc.
PHU77NQ03T,127
NXP USA Inc.
PHU78NQ03LT,127
NXP USA Inc.
PHU97NQ03LT,127
NXP USA Inc.
2N7002K,215
NXP USA Inc.
2N7002T,215
NXP USA Inc.
BSH112,235
NXP USA Inc.
BSH205,215
NXP USA Inc.
PMV117EN,215
NXP USA Inc.
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FT256I
Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
Intel
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGSED6K2F40C3N
Intel
EP4CE10E22C9L
Intel
LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
Intel