maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / PMGD400UN,115
Référence fabricant | PMGD400UN,115 |
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Numéro de pièce future | FT-PMGD400UN,115 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchMOS™ |
PMGD400UN,115 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 710mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 480 mOhm @ 200mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 0.89nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 43pF @ 25V |
Puissance - Max | 410mW |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Package d'appareils du fournisseur | 6-TSSOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMGD400UN,115 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PMGD400UN,115-FT |
DMC25D0UVT-7
Diodes Incorporated
SI3585CDV-T1-GE3
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