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Référence fabricant | PHD77NQ03T,118 |
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Numéro de pièce future | FT-PHD77NQ03T,118 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PHD77NQ03T,118 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 25V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 75A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.2V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 17.1nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 860pF @ 12V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 107W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | DPAK |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PHD77NQ03T,118 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PHD77NQ03T,118-FT |
PSMN013-100ES,127
Nexperia USA Inc.
PSMN1R5-40ES,127
Nexperia USA Inc.
PSMN3R3-80ES,127
Nexperia USA Inc.
PSMN3R5-80ES,127
Nexperia USA Inc.
PSMN4R3-80ES,127
Nexperia USA Inc.
PSMN7R0-100ES,127
Nexperia USA Inc.
PSMN7R8-120ESQ
Nexperia USA Inc.
PSMN7R8-120PSQ
Nexperia USA Inc.
PSMN8R5-108ESQ
NXP USA Inc.
BUK9225-55A,118
Nexperia USA Inc.
LCMXO2-7000HE-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX25-N3FGG484I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FG484
Microsemi Corporation
M7A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
XC4VFX40-10FF1152I
Xilinx Inc.
A40MX04-1PLG84M
Microsemi Corporation
A42MX16-2PL84I
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6U19I7N
Intel