maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / PSMN013-100ES,127
Référence fabricant | PSMN013-100ES,127 |
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Numéro de pièce future | FT-PSMN013-100ES,127 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PSMN013-100ES,127 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 68A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.9 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 59nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3195pF @ 50V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 170W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | I2PAK |
Paquet / caisse | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN013-100ES,127 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PSMN013-100ES,127-FT |
PMV65UNER
Nexperia USA Inc.
PMZ390UN,315
Nexperia USA Inc.
2N7002BKM,315
Nexperia USA Inc.
PMZ200UNEYL
Nexperia USA Inc.
PMZ130UNEYL
Nexperia USA Inc.
BSS84AKM,315
Nexperia USA Inc.
PMZ320UPEYL
Nexperia USA Inc.
PMZ390UNEYL
Nexperia USA Inc.
PMZ550UNEYL
Nexperia USA Inc.
PMZ950UPEYL
Nexperia USA Inc.
XC3S400-4TQG144C
Xilinx Inc.
XC2V1500-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA450-BGG456
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
A42MX24-1TQG176
Microsemi Corporation
APA150-FGG144A
Microsemi Corporation
EP4SGX230DF29C3NES
Intel
EP20K1000CF33C7N
Intel