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PMZ200UNEYL Image

Nexperia USA Inc. PMZ200UNEYL

Numéro de pièce MFG
PMZ200UNEYL
quantité disponible
25620 Pièces
Prix de référence
USD 0.0648
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Date d'expédition
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fabricant
Nexperia USA Inc.
Brève description
- MOSFET N-CH 30V SOT883
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
PMZ200UNEYL.pdf
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PMZ200UNEYL Caractéristiques

Référence fabricant PMZ200UNEYL
Numéro de pièce future FT-PMZ200UNEYL
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
PMZ200UNEYL Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 1.4A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250 mOhm @ 1.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 2.7nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 89pF @ 15V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur DFN1006-3
Paquet / caisse SC-101, SOT-883
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PMZ200UNEYL Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange PMZ200UNEYL-FT

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