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ON Semiconductor NVMFS6B25NLT1G

Name: NVMFS6B25NLT1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: NVMFS6B25NLT1G
Availability: InStock
Rating: 4.6 (755 reviews)

Numéro de pièce MFG: NVMFS6B25NLT1G

quantité disponible: 24780 Pièces

Prix de référence: USD 0

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: Automotive, AEC-Q101 MOSFET N-CH 100V 8A 33A 5DFN

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: NVMFS6B25NLT1G.pdf

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NVMFS6B25NLT1G Caractéristiques

Référence fabricant	NVMFS6B25NLT1G
Numéro de pièce future	FT-NVMFS6B25NLT1G
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	Automotive, AEC-Q101
NVMFS6B25NLT1G Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	8A (Ta), 33A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	24 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	13.5nC @ 10V
Vgs (Max)	±16V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	905pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	3.6W (Ta), 62W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquet / caisse	8-PowerTDFN, 5 Leads
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NVMFS6B25NLT1G Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	NVMFS6B25NLT1G-FT

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