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ON Semiconductor NVMFS6B14NLWFT1G

Name: NVMFS6B14NLWFT1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: NVMFS6B14NLWFT1G
Availability: InStock
Rating: 4.8 (653 reviews)

Numéro de pièce MFG: NVMFS6B14NLWFT1G

quantité disponible: 31600 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: Automotive, AEC-Q101 MOSFET N-CH 100V 11A DFN5

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: NVMFS6B14NLWFT1G.pdf

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NVMFS6B14NLWFT1G Caractéristiques

Référence fabricant	NVMFS6B14NLWFT1G
Numéro de pièce future	FT-NVMFS6B14NLWFT1G
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	Automotive, AEC-Q101
NVMFS6B14NLWFT1G Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	11A (Ta), 55A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	8nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±16V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1680pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	3.8W (Ta), 94W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquet / caisse	8-PowerTDFN
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NVMFS6B14NLWFT1G Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	NVMFS6B14NLWFT1G-FT

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