maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / PMZ550UNEYL
Référence fabricant | PMZ550UNEYL |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-PMZ550UNEYL |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PMZ550UNEYL Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 590mA (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 670 mOhm @ 590mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 1.1nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 30.3pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 310mW (Ta), 1.67W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | DFN1006-3 |
Paquet / caisse | SC-101, SOT-883 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMZ550UNEYL Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PMZ550UNEYL-FT |
NVMFS6B14NT3G
ON Semiconductor
NVMFS6B14NWFT1G
ON Semiconductor
NVMFS6B14NWFT3G
ON Semiconductor
NVMFS6B25NLT1G
ON Semiconductor
NVMFS6B25NLT3G
ON Semiconductor
NVMFS6B25NLWFT1G
ON Semiconductor
NVMFS6B25NLWFT3G
ON Semiconductor
NVMFS6B75NLT1G
ON Semiconductor
NVMFS6B75NLT3G
ON Semiconductor
NVMFS6B75NLWFT1G
ON Semiconductor
A3P060-1TQ144I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FCSG325I
Microsemi Corporation
M1A3P400-FG484
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EFI484-2
Intel
5SGXEA4K1F35C2N
Intel
ICE40UL1K-CM36AI
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP6C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35C5N
Intel
10AX016E3F27I1HG
Intel