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NXP USA Inc. PSMN8R5-108ESQ

Name: PSMN8R5-108ESQ
Brand: NXP USA Inc.
SKU: PSMN8R5-108ESQ
Availability: InStock
Rating: 4.6 (714 reviews)

Numéro de pièce MFG: PSMN8R5-108ESQ

quantité disponible: 25400 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: NXP USA Inc.

Brève description: - MOSFET N-CH 108V 100A I2PAK

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: PSMN8R5-108ESQ.pdf

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PSMN8R5-108ESQ Caractéristiques

Référence fabricant	PSMN8R5-108ESQ
Numéro de pièce future	FT-PSMN8R5-108ESQ
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
PSMN8R5-108ESQ Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	108V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	100A (Tj)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.5 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	111nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	5512pF @ 50V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	263W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	I2PAK
Paquet / caisse	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PSMN8R5-108ESQ Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	PSMN8R5-108ESQ-FT

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