maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / PMZ290UNE2YL
Référence fabricant | PMZ290UNE2YL |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-PMZ290UNE2YL |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PMZ290UNE2YL Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 1.2A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 320 mOhm @ 1.2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 1.4nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 46pF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 350mW (Ta), 5.43W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | DFN1006-3 |
Paquet / caisse | SC-101, SOT-883 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMZ290UNE2YL Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PMZ290UNE2YL-FT |
NVMFS6B25NLT1G
ON Semiconductor
NVMFS6B25NLT3G
ON Semiconductor
NVMFS6B25NLWFT1G
ON Semiconductor
NVMFS6B25NLWFT3G
ON Semiconductor
NVMFS6B75NLT1G
ON Semiconductor
NVMFS6B75NLT3G
ON Semiconductor
NVMFS6B75NLWFT1G
ON Semiconductor
NVMFS6B75NLWFT3G
ON Semiconductor
NVMFS6B85NLT1G
ON Semiconductor
NVMFS6B85NLT3G
ON Semiconductor
XC3S400-4TQG144C
Xilinx Inc.
XC2V1500-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA450-BGG456
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
A42MX24-1TQG176
Microsemi Corporation
APA150-FGG144A
Microsemi Corporation
EP4SGX230DF29C3NES
Intel
EP20K1000CF33C7N
Intel