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Référence fabricant | PSMN7R8-120ESQ |
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Numéro de pièce future | FT-PSMN7R8-120ESQ |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PSMN7R8-120ESQ Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 120V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 70A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.9 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 167nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 9473pF @ 60V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 349W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | I2PAK |
Paquet / caisse | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN7R8-120ESQ Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PSMN7R8-120ESQ-FT |
PMZ320UPEYL
Nexperia USA Inc.
PMZ390UNEYL
Nexperia USA Inc.
PMZ550UNEYL
Nexperia USA Inc.
PMZ950UPEYL
Nexperia USA Inc.
PMZ1200UPEYL
Nexperia USA Inc.
PMZ290UNE2YL
Nexperia USA Inc.
PMZ370UNEYL
Nexperia USA Inc.
PMZ600UNELYL
Nexperia USA Inc.
PMZ600UNEYL
Nexperia USA Inc.
2N7002PM,315
NXP USA Inc.
XC3S1600E-5FGG320C
Xilinx Inc.
XC3S250E-4VQ100I
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-6900C-6BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX50CF23C7
Intel
5SGXEA3K1F40C2L
Intel
5SGXMA3K2F40C2LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC6VLX195T-3FFG784C
Xilinx Inc.
5CGXFC4C7U19C8N
Intel