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Nexperia USA Inc. PSMN7R8-120ESQ

Name: PSMN7R8-120ESQ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: PSMN7R8-120ESQ
Price: 0.9152 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (221 reviews)

Numéro de pièce MFG: PSMN7R8-120ESQ

quantité disponible: 68860 Pièces

Prix de référence: USD 0.9152

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Nexperia USA Inc.

Brève description: - MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: PSMN7R8-120ESQ.pdf

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PSMN7R8-120ESQ Caractéristiques

Référence fabricant	PSMN7R8-120ESQ
Numéro de pièce future	FT-PSMN7R8-120ESQ
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
PSMN7R8-120ESQ Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	120V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	70A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.9 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	167nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	9473pF @ 60V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	349W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	I2PAK
Paquet / caisse	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PSMN7R8-120ESQ Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	PSMN7R8-120ESQ-FT

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