maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / NRVUB1620CTT4G
Référence fabricant | NRVUB1620CTT4G |
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Numéro de pièce future | FT-NRVUB1620CTT4G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
NRVUB1620CTT4G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Anode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 975mV @ 8A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 200V |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | D2PAK-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NRVUB1620CTT4G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NRVUB1620CTT4G-FT |
SMBD 7000 E6433
Infineon Technologies
SMBD7000E6327HTSA1
Infineon Technologies
BAS21VD,135
Nexperia USA Inc.
BAS21AVD,165
Nexperia USA Inc.
BAS21UE6327HTSA1
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IMN10T108
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HN2D03F(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
NSVBAS21TMR6T1G
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RB731UT108
Rohm Semiconductor
BAS21VD,165
Nexperia USA Inc.